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S-LESD11S-L3.3T5G 发布时间 时间:2025/8/13 2:20:51 查看 阅读:22

S-LESD11S-L3.3T5G 是一款由Semtech公司生产的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型TSOP封装,适用于高速数据线路和接口保护,如USB、HDMI、以太网等。S-LESD11S-L3.3T5G 的工作电压为3.3V,具备低钳位电压和快速响应时间,能够在恶劣的电磁环境中提供可靠的保护。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  工作电压:3.3V
  反向关态电压:3.3V
  钳位电压(Vc):典型值为7.5V(在Ipp=1A时)
  响应时间:小于1ns
  封装形式:TSOP
  引脚数:6
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  ESD保护等级:IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A

特性

S-LESD11S-L3.3T5G 的核心特性之一是其极低的寄生电容,通常低于1pF,这使得它非常适合用于高速信号线路的保护,不会对信号完整性造成显著影响。该器件采用双向保护结构,可以同时保护正负方向的瞬态电压事件,适用于交流和直流信号线路。
  另一个显著特点是其快速响应时间,小于1纳秒,这意味着它可以在静电放电事件发生的瞬间迅速导通,将有害的电流引导到地,从而保护后端电路不受损坏。此外,S-LESD11S-L3.3T5G 的钳位电压较低,典型值为7.5V(在1A峰值电流下),有助于减少对受保护设备的应力,提高系统可靠性。
  该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,能够承受高达±8kV的接触放电和±15kV的空气放电,适用于工业和消费类电子产品中对ESD防护要求较高的应用场景。S-LESD11S-L3.3T5G 采用6引脚TSOP封装,体积小巧,便于在PCB布局中使用,尤其是在空间受限的设计中。
  由于其低漏电流特性,在正常工作条件下,S-LESD11S-L3.3T5G 对系统功耗的影响极小,有助于延长电池供电设备的续航时间。同时,该器件具有良好的热稳定性和多次击穿耐受能力,能够在频繁发生ESD事件的环境中长期稳定工作。

应用

S-LESD11S-L3.3T5G 广泛应用于需要ESD保护的高速数据接口和通信线路中。常见的应用场景包括USB 2.0/3.0接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485/RS-232通信接口、音频/视频输入输出端口等。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中,该器件用于保护敏感的模拟和数字电路免受静电放电损害。
  此外,S-LESD11S-L3.3T5G 也适用于工业控制系统、汽车电子模块、安防监控设备以及网络通信设备中的信号线路保护。由于其低电容特性,特别适合用于差分信号线路的保护,例如用于保护以太网物理层(PHY)芯片、CAN总线控制器等关键组件。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载娱乐系统、摄像头模块、传感器接口等需要高速信号传输的应用中,提供符合AEC-Q101标准的可靠ESD保护方案。

替代型号

LESD11S-L3.3T5G, S-LESD11S-L3.3T5G-TR, S-LESD11S-L3.3CT5G

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