类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：8.2V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　最大齐纳电流（Izmax）：25mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

S-LBZX84C8V2LT1G 是一款高精度、低功耗的齐纳二极管，其±2%的电压容差确保了在需要稳定电压参考的应用中提供高精度的电压输出。该器件的最大耗散功率为300mW，能够在高达25mA的齐纳电流下稳定工作，适用于多种电源管理和信号调节电路。
　　其SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化装配流程。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其适用于各种工业和消费类电子设备。
　　在电气特性方面，S-LBZX84C8V2LT1G具有低动态阻抗和良好的温度系数，有助于在负载变化时维持稳定的输出电压。这使其非常适合用于精密电压参考源、模拟电路偏置电压生成、电源监控电路以及电池供电设备中的电压调节应用。
　　此外，该齐纳二极管还具有快速响应时间，能够在电压瞬变时迅速提供稳压保护，从而提高系统的稳定性和可靠性。其低漏电流特性也使其适用于低功耗设计。

S-LBZX84C8V2LT1G 主要用于以下应用场景：精密电压参考源、模拟电路偏置电压调节、电源管理系统、电池充电电路、电压监控与保护电路、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）以及工业控制和传感器系统。其高精度和稳定性能使其成为需要精确电压控制和稳压保护的电子系统中的关键组件。

LBZX84C8V2T1G、BZX84C8V2LT1G、MM3Z8V2B、ZMM8V2、1SMA82