S-LBZX84C4V7LT1G 时间：2025/8/13 15:40:24 阅读：6

S-LBZX84C4V7LT1G 是一种常见的齐纳二极管（Zener Diode），由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。齐纳二极管是一种利用反向击穿电压特性来实现电压调节的半导体器件。S-LBZX84C4V7LT1G 的齐纳电压为4.7V，适用于低功率稳压应用。该器件采用SOD-323（SC-76）封装，适用于便携式电子设备、电池供电系统和电压参考电路。

参数

类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：4.7V
　　最大耗散功率：300mW
　　封装类型：SOD-323（SC-76）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向电流：100mA
　　最大反向漏电流（VR）：100nA @ VR=1V
　　包装方式：卷带（Tape and Reel）

特性

S-LBZX84C4V7LT1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度系数，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的齐纳电压。该器件的最大功耗为300mW，适用于低功耗电路设计。其SOD-323封装形式体积小巧，便于在空间受限的应用中使用。该齐纳二极管具有较低的动态电阻，有助于在负载变化时维持输出电压的稳定。
　　此外，S-LBZX84C4V7LT1G 采用先进的制造工艺，确保了优异的可靠性和长期稳定性，适用于对稳定性能要求较高的电源管理电路。该器件的反向漏电流极低，在1V反向电压下最大仅为100nA，有助于减少静态功耗。同时，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下使用。

应用

S-LBZX84C4V7LT1G 主要用于低功率电压调节电路中，例如作为基准电压源、过压保护电路、电池供电设备的稳压器等。它常见于便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子模块和传感器电路中。在数字和模拟电路中，该齐纳二极管可以用于为比较器、运算放大器或其他需要参考电压的电路提供稳定电压源。此外，它也可用于电源适配器、USB充电器和LED驱动电路中的电压钳位和保护应用。