类型：NPN/PNP 组合晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V（NPN）、-30V（PNP）
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V（NPN）、-50V（PNP）
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V（NPN/PNP）
　　最大集电极电流（IC）：100mA（NPN/PNP）
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

S-LBZT52C18T1G 的一大特点是其互补型晶体管结构，一个 NPN 和一个 PNP 晶体管集成在同一封装内，便于构建对称电路，例如差分放大器或互补输出级。该器件具有良好的热稳定性和低饱和压降，有助于提高电路效率。此外，S-LBZT52C18T1G 采用小型 SOT-23 封装，适合高密度贴片组装，并具有良好的高频响应，适用于中低功率放大和开关应用。
　　该晶体管阵列在制造工艺上采用了先进的硅外延平面技术，确保了器件具有良好的均匀性和稳定性。其最大工作电压为 30V（NPN）和 -30V（PNP），最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率控制和信号处理电路。S-LBZT52C18T1G 还具有较低的基极-发射极电压（VBE），有助于减少驱动损耗，提高能效。
　　此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适合现代绿色电子产品的设计要求。由于其集成结构，S-LBZT52C18T1G 可有效减少 PCB 上的元件数量，简化电路设计并提高整体可靠性。

S-LBZT52C18T1G 常用于需要互补晶体管配对的电路中，例如音频放大器的输出级、H 桥电机驱动电路、电压调节器、电平转换电路以及模拟开关电路。由于其小型封装和良好性能，该器件也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、穿戴设备以及传感器接口电路。
　　在数字电路中，S-LBZT52C18T1G 可用于构建双极型逻辑门、缓冲器和驱动器，适用于 TTL 和 CMOS 电平转换。在工业自动化系统中，该晶体管阵列可用于控制继电器、LED 显示器以及小型电机等负载。此外，它还可用于电源管理电路中，作为电流镜或稳压电路中的关键元件。
　　由于其低功耗和高稳定性，S-LBZT52C18T1G 在消费类电子、汽车电子、通信设备和测试仪器中均有广泛应用。例如，在汽车电子中，它可以用于控制车灯、仪表盘显示和传感器信号调理电路。

BC847BDSX, 2N3904/2N3906 组合, MMBT3904LT1G/MMBT3906LT1G