时间：2025/4/28 17:04:40
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S-LBTN560Z4TZHG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用场景设计。该芯片具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于高功率密度的应用场景。其封装形式采用了先进的贴片式封装，确保了优异的散热性能和可靠性。
型号：S-LBTN560Z4TZHG
类型：增强型 GaN HEMT
额定电压：600V
额定电流：4A
导通电阻：75mΩ（典型值）
栅极电荷：13nC（最大值）
开关频率：最高支持 5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7L
S-LBTN560Z4TZHG 具有卓越的开关速度和较低的开关损耗，这使得它在高频应用中表现出色。此外，该器件采用增强型设计，具备更高的可靠性和稳定性。
GaN 技术的应用显著降低了导通电阻，从而减少了能量损耗并提高了整体效率。该器件还集成了保护功能，如过流保护和短路保护，进一步增强了其在实际应用中的安全性。
其封装形式经过优化，能够有效降低热阻，提升散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
S-LBTN560Z4TZHG 广泛应用于高频电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备、电机驱动电路以及各类工业自动化控制领域。由于其高效率和低损耗的特点，也适合用于数据中心电源、太阳能逆变器以及其他对能耗要求较高的系统中。
S-LBTN560Z4TTHG
S-LBTN560Z4TTZ
S-LBTN560Z4TTH
