晶体管类型：NPN + PNP 双晶体管
　　集电极电流（Ic）：100 mA（NPN），100 mA（PNP）
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V（NPN），30 V（PNP）
　　集电极-基极电压（Vcb）：30 V（NPN），30 V（PNP）
　　发射极-基极电压（Veb）：5 V（NPN），5 V（PNP）
　　功耗（Pd）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363

S-LBSS84DW1T1G 拥有多种优良的电气和物理特性，使其在电子设计中具有广泛的适用性。
　　首先，该器件采用了 NPN 和 PNP 组合的结构，能够在同一封装中实现互补操作，适用于推挽放大器、电平转换电路和逻辑门设计等应用场景。这种集成设计不仅节省了 PCB 空间，还降低了电路复杂度。
　　其次，S-LBSS84DW1T1G 具备良好的频率响应，能够在高频环境下稳定工作，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器等应用。其高电流增益（hFE）确保了良好的信号放大能力，同时具备较低的饱和压降，有助于减少功耗和提高系统效率。
　　此外，该器件采用 SOT-363 超小型封装，适合自动化贴片工艺，提高了生产效率。其工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　最后，S-LBSS84DW1T1G 符合 RoHS 环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。

S-LBSS84DW1T1G 主要用于需要互补晶体管操作的电路设计中。
　　首先，该器件广泛应用于数字逻辑电路中，作为电平转换器、缓冲器和驱动器。由于其 NPN 和 PNP 晶体管的互补特性，可以构建推挽式输出电路，提供更高的驱动能力和更低的静态功耗。
　　其次，S-LBSS84DW1T1G 常用于电源管理和 DC-DC 转换器中，作为控制电路中的开关晶体管。其低饱和压降和高开关速度有助于提高转换效率，同时减少热损耗。
　　另外，在音频放大器和信号调理电路中，该器件也可用于前置放大器或驱动级放大器，提供良好的增益和稳定性。
　　此外，S-LBSS84DW1T1G 还适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品的设计中，如传感器接口电路、LED 驱动电路和继电器控制电路等。

MMBTH84LT1G, MMBTH84VT1G, BC847B, BC857B