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S-LBSS5250Y3T1G 发布时间 时间:2025/8/15 22:21:59 查看 阅读:29

S-LBSS5250Y3T1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用设计,具有良好的增益性能和快速响应能力,适用于射频(RF)和模拟电路领域。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):110-800(根据工作条件)
  过渡频率(fT):250MHz
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

S-LBSS5250Y3T1G具备高过渡频率(fT)达到250MHz,适合高频放大器和射频电路设计。其hFE(电流增益)范围广泛,从110到800,使得它在不同的工作条件下都能保持稳定的放大性能。此外,该晶体管的封装形式为SOT-23,是一种小型化表面贴装封装,适用于紧凑型电路板设计。
  这款晶体管还具有良好的热稳定性和较低的饱和压降(Vce_sat),在高频开关应用中表现出色。其额定工作电压为50V(Vce和Vcb),可以承受较高的电压应力,从而提高电路的可靠性。S-LBSS5250Y3T1G的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于宽温环境下的工业和汽车电子应用。
  由于其高性能和紧凑的封装,S-LBSS5250Y3T1G广泛用于无线通信、射频识别(RFID)、低噪声放大器、电压调节器和各种模拟信号处理电路中。

应用

S-LBSS5250Y3T1G晶体管主要用于高频放大器、射频接收器、低噪声前置放大器、振荡器以及各种模拟开关电路。它还适用于便携式电子产品、汽车电子系统、工业控制系统和无线通信模块等对高频性能要求较高的应用领域。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904

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