晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据不同的工作电流）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

S-LBAW56LT1G是一款高性能的NPN晶体管，具有优异的电气特性和广泛的应用范围。其主要特性包括：
　　1. 高频性能：该晶体管的过渡频率（fT）达到100 MHz，使其非常适合用于高频放大和开关应用。
　　2. 多级hFE选项：直流电流增益（hFE）范围为110-800，根据不同的工作电流，提供多种增益选择，满足不同电路设计的需求。
　　3. 低饱和电压：S-LBAW56LT1G具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），确保在开关应用中实现高效的能量传输。
　　4. 高可靠性：该晶体管的设计和制造工艺确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性，工作温度范围为-55°C至150°C。
　　5. 小型封装：采用SOT-23封装，节省电路板空间，适合高密度电子设备的设计。
　　6. 通用性：由于其优异的电气性能和广泛的工作条件，S-LBAW56LT1G可以用于多种应用场景，包括数字电路、模拟电路和功率管理电路。

S-LBAW56LT1G晶体管广泛应用于各种电子设备和电路设计中。其主要应用包括：
　　1. 开关电路：由于其低饱和电压和快速开关特性，S-LBAW56LT1G非常适合用于数字电路中的开关应用，如逻辑门电路和电源管理电路。
　　2. 放大电路：该晶体管的高频性能和多级hFE选项使其非常适合用于音频放大、射频放大和信号处理电路。
　　3. 传感器电路：S-LBAW56LT1G可以用于传感器信号放大和处理电路，提供稳定的增益和精确的信号传输。
　　4. 工业控制：在工业自动化和控制系统中，该晶体管可以用于电机控制、继电器驱动和电源调节电路。
　　5. 消费电子产品：S-LBAW56LT1G的小型封装和优异性能使其成为消费电子产品中的理想选择，如智能手机、平板电脑和便携式设备。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A