晶体管类型：NPN/PNP组合
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V（NPN）/100V（PNP）
　　集电极电流（IC）：100mA（NPN）/100mA（PNP）
　　功率耗散（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz（NPN）/100MHz（PNP）
　　电流增益（hFE）：110~800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

S-LBAS70BST5G 晶体管组合具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于射频信号处理和高速开关应用。其NPN和PNP晶体管集成在一个封装中，便于设计对称放大电路或互补开关电路。该器件具有较高的击穿电压（VCEO为100V），可承受较高的电压应力，提高了电路的可靠性。
　　此外，S-LBAS70BST5G 采用SOT-23表面贴装封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局，同时支持自动化贴片工艺。其低基极电阻和高跨导特性使其在低电压、低功耗系统中表现优异，例如便携式通信设备、传感器接口电路和嵌入式控制系统。
　　在热性能方面，该晶体管组合具备良好的热稳定性，能在较高温度环境下稳定工作。ROHM的制造工艺确保了该器件的高一致性和长期稳定性，适合工业级和汽车电子应用。

S-LBAS70BST5G 常用于射频信号放大器、数字开关电路、缓冲器、逻辑电平转换、音频前置放大器、传感器信号调理电路等场景。它也广泛应用于无线通信模块、物联网（IoT）设备、消费类电子产品和工业自动化控制系统中。

2SC4401/2SA1687, 2SC3948/2SA1508, MMBT3904/MBT3906