S-LBAS70-06LT1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的小信号肖特基二极管,属于LBAS70系列。该器件采用先进的肖特基势垒技术,具备低正向压降和快速开关特性,非常适合用于高频和低电压应用。S-LBAS70-06LT1G采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于各种便携式电子设备和自动化控制系统。
最大重复峰值反向电压:60V
最大平均整流电流:100mA
最大正向压降(IF=100mA):0.45V(典型值)
最大反向漏电流(VR=60V):100nA(最大值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-23(SC-59)
S-LBAS70-06LT1G具备多项优良的电气特性,首先是其低正向压降,通常在100mA电流下仅为0.45V,这有助于降低功耗并提高能效,尤其适用于电池供电设备。
其次,该器件具有极快的开关速度,反向恢复时间(trr)非常短,通常在几纳秒以内,使其适用于高频整流和信号检测等应用。
此外,S-LBAS70-06LT1G具有良好的热稳定性,能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
其SOT-23封装结构不仅节省空间,还便于自动化贴片生产,提高制造效率。
该器件的可靠性高,符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于对稳定性和耐用性要求较高的系统。
S-LBAS70-06LT1G广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效能和小型化设计的场合。
例如,它常用于便携式消费电子产品中的电源管理和电压检测电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
在通信设备中,该二极管可用于射频信号整流和保护电路,确保信号传输的稳定性。
另外,它也适用于传感器接口电路,用于防止反向电压对敏感电路造成损害。
在汽车电子系统中,S-LBAS70-06LT1G可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统以及电池管理系统,提供高效的电源整流和电压钳位保护功能。
此外,该器件还适用于各种工业自动化设备和测试仪器中的电源和信号处理电路。
BAS70-06LT1G, RB751V-40, 1N5711, BAT54C, MBRS340T3G