类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：14.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：29nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

S-LBAS16LT1G MOSFET具有多项关键特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为14.5mΩ，这使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，S-LBAS16LT1G采用了高性能Trench MOSFET技术，提供了卓越的开关性能，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其较低的栅极电荷（Qg=29nC）有助于减少开关损耗，从而提高整体能效。
　　此外，该MOSFET具有良好的热性能，封装设计有助于散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　封装方面，S-LBAS16LT1G采用PowerPAK SO-8封装，该封装不仅体积小、便于PCB布局，还具备优异的热管理和电气性能，适用于高密度电源设计。
　　总体而言，S-LBAS16LT1G是一款高性能、高可靠性的MOSFET，适用于对效率和散热要求较高的电源管理系统。

S-LBAS16LT1G广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。其中，常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。在电源适配器、笔记本电脑电源管理模块、工业自动化设备和车载电子系统中，该MOSFET均可发挥出色的性能。此外，由于其优异的高频开关特性，也适用于谐振变换器和无线充电系统。

SiSS16DN, IRF7413, FDS6680, NVTFS5C471NL