时间：2025/9/5 17:22:44
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S-G30100CTFW是一款由半导体厂商推出的高效能、低功耗的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供卓越的导通电阻和开关性能，适用于高频率开关应用。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：约60mΩ
栅极电荷(Qg)：约45nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
S-G30100CTFW的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的开关性能。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率，特别适合高功率密度设计。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，增强了在严苛环境下的可靠性。器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现优异。采用TO-220封装，确保了良好的散热能力和机械强度，适用于各种工业和消费类电子设备。
此外，S-G30100CTFW具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其设计还考虑了电磁干扰（EMI）的优化，有助于降低系统的EMI水平，提高整体性能。这些特性使该器件在DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池管理系统等应用中表现出色。
S-G30100CTFW常用于电源转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、不间断电源（UPS）系统以及各种工业自动化设备。其高效能和高可靠性也使其成为新能源汽车、光伏逆变器和储能系统中的理想选择。在需要高效能功率MOSFET的场合，该器件都能提供出色的性能表现。
IRF30N10L, FDP30N10, STP30NF10, FQA30N10, NTD30N10
