S-G30100CTFW是一款由半导体厂商推出的高效能、低功耗的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供卓越的导通电阻和开关性能,适用于高频率开关应用。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):约60mΩ
栅极电荷(Qg):约45nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
S-G30100CTFW的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的开关性能。其低导通电阻减少了导通损耗,提高了系统效率,特别适合高功率密度设计。此外,该器件具有较高的短路耐受能力,增强了在严苛环境下的可靠性。器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,在高频应用中表现优异。采用TO-220封装,确保了良好的散热能力和机械强度,适用于各种工业和消费类电子设备。
此外,S-G30100CTFW具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其设计还考虑了电磁干扰(EMI)的优化,有助于降低系统的EMI水平,提高整体性能。这些特性使该器件在DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池管理系统等应用中表现出色。
S-G30100CTFW常用于电源转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、不间断电源(UPS)系统以及各种工业自动化设备。其高效能和高可靠性也使其成为新能源汽车、光伏逆变器和储能系统中的理想选择。在需要高效能功率MOSFET的场合,该器件都能提供出色的性能表现。
IRF30N10L, FDP30N10, STP30NF10, FQA30N10, NTD30N10