晶体管类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

S-FFMAF207T 晶体管具有多项优良的电气和物理特性，适用于各种高频和低功率应用。首先，该晶体管具有高电流增益（hFE），通常在 110 至 800 之间，具体数值取决于测试条件和分档等级，使其能够有效地用于信号放大和开关控制。
　　其次，S-FFMAF207T 的最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的电子电路设计。其集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，通常在 0.2V 至 0.3V 之间（Ic = 100mA，Ib = 5mA 时），这有助于降低功耗并提高效率。
　　此外，该晶体管的工作频率较高，具有良好的高频响应能力，适用于射频（RF）放大和高速开关应用。其过渡频率（fT）可达 100MHz 以上，确保在高频条件下仍能保持良好的增益性能。
　　封装方面，S-FFMAF207T 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，便于自动化生产和 PCB 板的空间优化。其封装材料符合 RoHS 标准，并具有良好的热稳定性和机械强度。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的电子系统，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

S-FFMAF207T 主要应用于需要中低功率放大的电子电路中。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器、开关电路和逻辑电平转换器等。在工业控制系统中，它可作为继电器驱动器、传感器信号放大器和电源管理电路中的关键组件。
　　在通信设备中，S-FFMAF207T 被广泛用于射频（RF）信号放大、频率合成和信号调制解调等高频电路设计。由于其良好的高频响应特性，该晶体管也适用于无线通信模块、无线传感器网络和物联网（IoT）设备。
　　在汽车电子领域，S-FFMAF207T 可用于车身控制模块、车载娱乐系统、照明控制系统和车载充电器等应用。其宽温度范围和可靠性使其能够适应汽车运行环境中的振动、高温和电磁干扰等挑战。
　　此外，该晶体管也常用于实验开发和教学项目，作为基础电子元件帮助工程师和学生理解和设计晶体管放大和开关电路。

2N3904, BC547, PN2222A