类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流放大系数（hFE）：110 ~ 800（根据分档）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

S-ES2J 晶体管具备多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。
　　首先，其高电流放大系数（hFE）范围为 110 至 800，具体数值取决于器件的分档等级（例如 hFE 分为 O、Y、GR、BL、SU 等等级），这使得用户可以根据设计需求选择合适的放大倍数，从而提高电路的稳定性和性能。
　　其次，S-ES2J 的过渡频率（fT）为 100 MHz，表明其在高频应用中依然具有良好的响应能力，适合用于中频放大、高速开关等场合。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够满足多数低压电路的设计需求。其 TO-92 封装形式不仅体积小巧，便于在 PCB 板上布局，同时也具备良好的散热性能，确保器件在长时间运行中的可靠性。
　　最后，S-ES2J 具有较高的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用领域。

S-ES2J 由于其良好的电气性能和广泛的适用性，被广泛应用于各类电子设备中。
　　最常见的用途是作为开关或放大器使用，例如在小功率电源管理电路中作为开关元件，控制 LED 灯、继电器或小型电机的启停。在音频放大电路中，S-ES2J 可用于前置放大或驱动级，提供稳定的信号放大功能。
　　此外，该晶体管也常用于传感器接口电路中，作为信号调理或电平转换的元件，例如在温度传感器、光敏传感器等模拟信号处理电路中实现信号放大和驱动。
　　由于其良好的高频响应特性，S-ES2J 也可用于射频（RF）前端电路、无线通信模块中的中频放大器等应用场景。
　　在工业控制和自动化系统中，S-ES2J 被广泛用于继电器驱动、电机控制、仪表测量等电路中，确保系统运行的稳定性和可靠性。

BC547, 2N3904, PN2222A