类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：24A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，取决于VGS）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP/DFN（具体封装取决于制造商版本）

S-EFMA240 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。在典型工作条件下，该器件的RDS(on)约为4.5mΩ，这使得它非常适合用于高电流应用。其次，S-EFMA240具有较高的最大漏极电流（24A），能够承受较大的负载电流，适用于高性能DC-DC转换器和同步整流器。
　　此外，S-EFMA240采用先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。其最大功耗为100W，确保在高负荷条件下仍能保持可靠运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（VGS可达20V），使得它可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。其工作温度范围宽（-55°C至+150°C）确保在各种环境条件下都能正常运行，增强了其在工业和汽车电子应用中的适用性。

S-EFMA240 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。在服务器电源和通信设备中，S-EFMA240常用于同步整流器电路，以提高转换效率。在电动汽车和储能系统中，该器件可用于电池充放电管理电路，确保能量传输的高效性和稳定性。
　　在工业自动化设备中，S-EFMA240可用于控制高功率负载，如直流电机和加热元件。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效率电机驱动器的理想选择。此外，该器件也适用于LED照明驱动器和光伏逆变器等可再生能源应用，有助于提升系统的整体能效。
　　由于其优异的热稳定性和高频开关能力，S-EFMA240也常用于便携式电子设备的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电池充电电路。在这些应用中，该器件能够有效降低能量损耗，延长设备的续航时间。

SiR3460DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF6714TRPBF, NexFET CSD17551Q5A