S-89120ANC-1A2-TFG 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于需要高效率和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,从而显著提高了系统的整体性能。
其主要用途包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。由于具备优良的热特性和电气特性,它在高温工作环境下依然能够保持稳定的性能。
型号:S-89120ANC-1A2-TFG
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:40A
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
输入电容Ciss:3270pF
输出电容Coss:105pF
反向传输电容Crss:58pF
结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263-3
S-89120ANC-1A2-TFG 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于现代高效能开关电源设计。
3. 优异的热稳定性,确保在高温条件下也能长期可靠运行。
4. 强大的浪涌电流承受能力,可以应对突发性大电流冲击。
5. 小型化封装,节省PCB空间的同时提供卓越的电气性能。
6. 符合RoHS标准,环保且安全。
S-89120ANC-1A2-TFG 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 汽车电子设备中的负载开关与保护电路。
5. 工业自动化控制中的信号切换与功率调节。
6. 各类便携式设备的电池管理单元(BMU)。