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S-8327H52MC-FXG-T2 发布时间 时间:2025/6/22 8:03:26 查看 阅读:4

S-8327H52MC-FXG-T2 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。其封装形式为TO-263-3L(D2PAK),适合表面贴装应用。
  这款功率MOSFET支持高频开关操作,同时具备快速恢复特性,可有效降低开关损耗。此外,它还具有出色的耐雪崩能力和静电防护设计,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:120nC
  开关频率:1MHz
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263-3L (D2PAK)

特性

S-8327H52MC-FXG-T2 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 强大的电流承载能力,能够满足大功率应用需求。
  4. 良好的热性能设计,有助于散热管理。
  5. 内置ESD保护功能,增强器件可靠性。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和装配。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机控制。
  3. DC-DC转换器模块,用于汽车电子和工业设备。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换级。
  5. LED驱动器,提供高效稳定的电流输出。
  6. 各类负载切换和保护电路。
  其优异的性能使其成为众多高功率密度解决方案的理想选择。

替代型号

S-8327H52MC-FXG-T1, IRF7846TRPBF, FDP5800

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