S-8321AMMP-DNM-T2 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的制造工艺,在保证高效率的同时也具备优异的热特性和可靠性。其封装形式经过优化,能够有效降低寄生电感,提高整体系统的性能。
该器件具有低导通电阻的特点,能够在高频工作条件下保持较低的功耗,并且支持多种保护机制,包括过流保护和短路保护。
型号:S-8321AMMP-DNM-T2
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):120A
Qg(栅极电荷):50nC
Bvdss(击穿电压):60V
Vgs(th)(阈值电压):2.5V~4.5V
f(最大工作频率):1MHz
封装:TO-Leadless
S-8321AMMP-DNM-T2 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,可显著减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并支持高频操作。
4. 内置ESD保护功能,增强器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 封装设计紧凑,减小了寄生电感对高频性能的影响。
6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
7. 通过严格的温度测试,确保在高温环境下依然稳定运行。
S-8321AMMP-DNM-T2 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的大电流开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
6. 其他需要高效功率转换和处理的应用场景。
S-8321AMMP-DNM-T1, IRFZ44N, FDP55N06L