S-8254AAJFT-TB-S 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,主要用于开关和功率放大应用。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种高频、高效率的电力电子设备。
其设计采用了先进的半导体制造工艺,能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的性能表现。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:130A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:109nC
总热阻(结到壳):0.15°C/W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
S-8254AAJFT-TB-S 具有卓越的电气特性和机械稳定性,以下是其主要特性:
1. 极低的导通电阻确保了器件在大电流应用中的高效性能,同时降低了功耗。
2. 高额定电流能力使其能够胜任各种高负载场景。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,提升了整体系统效率。
4. 广泛的工作温度范围适应于极端环境条件下的稳定运行。
5. 采用 TO-247-3 封装,便于安装和散热管理。
这款 MOSFET 芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电动车辆驱动器
4. 工业电机控制
5. 太阳能逆变器
6. 不间断电源(UPS)系统
其强大的电流承载能力和高效的开关性能使得 S-8254AAJFT-TB-S 成为许多高功率应用的理想选择。
S-8254AAJFT-TB-L, IRFP260N, STP130N06LL