时间：2025/6/21 11:38:01
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S-818A28AMC-BGIT2G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，支持高频率操作，同时具备良好的热性能和电气特性，适合各种需要高效功率转换的应用场景。
型号：S-818A28AMC-BGIT2G
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
S-818A28AMC-BGIT2G具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，确保在高负载条件下稳定运行。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并支持高频应用。
4. 强大的散热性能，适应高温工作环境。
5. 高可靠性和长寿命设计，满足工业级和消费级应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
该芯片广泛适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机(BLDC)或步进电机。
3. 太阳能逆变器和其他能量转换设备。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电源管理单元。
6. 各种便携式设备和家用电器的功率调节部分。
S-818A28AMC-BGIT1G, IRF2807PbF, FDP18N06L
