时间：2025/6/17 12:26:12
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S-816A30AMC-BAFT2G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该型号由住友电工（Sumitomo Electric）生产，具备高效率、宽带宽和高功率密度的特点。它适用于雷达系统、通信基站、电子战设备以及其他需要高性能射频放大的场合。
这款晶体管采用了先进的 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，能够在高频段实现卓越的输出功率和增益性能，同时保持较低的热阻，从而提升系统的可靠性和稳定性。
最大漏极电流：15A
击穿电压：300V
输出功率：30W
工作频率范围：0.5GHz - 18GHz
增益：15dB
导通电阻：0.1Ω
封装类型：气密封装
热阻：0.5°C/W
S-816A30AMC-BAFT2G 的主要特点是其在高频段镓材料，该器件可以支持高达 18GHz 的频率范围，同时提供稳定的 30W 输出功率。
由于其低热阻的设计，晶体管能够有效散发运行时产生的热量，延长了使用寿命并提高了整体系统的可靠性。
此外，这款晶体管还具有出色的线性度和效率，在通信系统中能显著减少功耗并优化信号质量。
该器件采用气密封装，增强了对恶劣环境的适应能力，如高温、潮湿或强电磁干扰场景。
S-816A30AMC-BAFT2G 广泛应用于以下领域：
1. 雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制雷达等高精度探测设备。
2. 无线通信：支持 5G 基站及毫米波通信中的功率放大功能。
3. 电子对抗：适用于各种电子战平台，包括干扰机和侦察接收机。
4. 测试测量仪器：为矢量信号发生器和其他精密测试设备提供稳定高效的射频信号源。
5. 卫星通信：助力卫星地面站实现长距离、大容量的数据传输。
S-816A30AMC-BBFT2G
S-816A20AMC-BAFT2G
GaN2003S-20
Cree CGH40120F
