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S-80833CNNB-B8S-T2 发布时间 时间:2025/6/4 14:24:10 查看 阅读:5

S-80833CNNB-B8S-T2 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等场景。该芯片采用先进的制程工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于各种需要高效功率转换和控制的应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

S-80833CNNB-B8S-T2 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少导通损耗,从而提高整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 出色的热稳定性设计,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强器件在实际使用中的可靠性。
  5. 小型化封装,有助于节省 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 支持大电流输出,适用于工业级和消费类电子产品的功率管理。

应用

这款功率 MOSFET 芯片被广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制。
  3. 充电器和适配器的设计与制造。
  4. LED 照明系统的驱动电路。
  5. 工业自动化设备中的功率模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  S-80833CNNB-B8S-T2 的高效率和可靠性使其成为许多高要求应用场景的理想选择。

替代型号

S-80833CJNB-B8S-T2
  S-80833CKNB-B8S-T2
  S-80833CLNB-B8S-T2

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S-80833CNNB-B8S-T2参数

  • 制造商Seiko Instruments
  • 产品种类电压监测器/监控器
  • 监测电压数1
  • 监测电压0.8 V to 6 V
  • 输出类型Open Drain
  • 欠电压阈值3.3 V
  • 工作电源电压0.65 V to 5 V
  • 工作电源电流0.8 uA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装 / 箱体SC-82AB
  • 安装风格SMD/SMT
  • 人工复位No
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000
  • 监视器No