S-5712ACDL2-I4T1U 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景中。它具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提高系统的效率并减少能量损耗。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高电流和高频应用场景。其封装形式为 I4T1U,支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和焊接。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=15ns, toff=18ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
热阻(结到壳):1.2℃/W
S-5712ACDL2-I4T1U 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关性能,适合高频应用场合。
3. 高额定电流能力,使其能够承受较大的负载电流。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时支持高效的散热管理。
5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
6. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动控制电路,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率管理模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力电子系统。
6. 通信基站中的高效功率转换解决方案。
S-5712BCDL2-I4T1U
S-5712CCDL2-I4T1U
S-5713ACDL2-I4T1U