您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RZM002P02T2L

RZM002P02T2L 发布时间 时间:2025/4/28 12:32:14 查看 阅读:3

RZM002P02T2L 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器以及高效率电力电子系统中。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低系统功耗并提高整体效率。
  其设计优化了散热性能,同时支持更高的工作频率,非常适合需要高性能和紧凑设计的应用场景。

参数

型号:RZM002P02T2L
  类型:功率开关管
  材料:氮化镓 (GaN)
  额定电压:650 V
  额定电流:2 A
  导通电阻:2 Ω
  栅极电荷:3 nC
  最大工作温度:175 °C
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  开关速度:超高速

特性

RZM002P02T2L 具备卓越的性能特点,包括但不限于以下方面:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,可实现高达几兆赫的工作频率。
  3. 支持高电压操作,确保在宽输入电压范围内的稳定性。
  4. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,提高了系统的可靠性。
  5. 小型化的封装设计,适合空间受限的应用环境。
  6. 热阻较低,有利于高效的热量管理。

应用

该芯片适用于多种高效率电力电子应用领域,具体包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压模块。
  3. 太阳能微型逆变器和储能系统。
  4. 快速充电器和便携式设备电源适配器。
  5. 工业电机驱动和机器人控制电路。
  6. 通信基站中的电源模块和配电单元。
  RZM002P02T2L 的高效率和小型化设计使其成为现代电力电子设计的理想选择。

替代型号

RZM002P02T3H, RZM002P02T1G

RZM002P02T2L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RZM002P02T2L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

RZM002P02T2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds115pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RZM002P02T2L-NDRZM002P02T2LTR