RZM002P02 时间：2025/5/8 11:28:00 阅读：18

RZM002P02 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　该芯片主要面向消费电子、工业控制以及汽车电子领域，特别适合需要高效率和高可靠性的应用环境。

参数

型号：RZM002P02
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：2.3A
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ
　　总功耗(Ptot)：1.8W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
　　封装形式：SOT-23

特性

RZM002P02 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，支持高频操作，适用于各种高频开关电路。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
　　4. 小尺寸封装（SOT-23），便于布局设计，节省PCB空间。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保其在极端环境下仍能稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且安全。

应用

RZM002P02 可用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
　　3. 电机驱动中的H桥或半桥电路。
　　4. 电池保护电路中的负载开关。
　　5. 汽车电子系统的电源管理模块。
　　6. 各类消费电子产品中的电源切换与控制功能。