时间：2025/12/25 10:36:38
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RYE002N05TCL是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其封装形式为常见的贴片式TOLL（TO-263-8L）封装，具备较好的散热能力，适合自动化贴装生产。RYE002N05TCL在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体系统效率。该产品广泛用于服务器电源、DC-DC变换器、电机驱动、电池管理系统以及工业控制等领域。作为国产高性能MOSFET的代表之一，RYE002N05TCL在替代进口同类产品方面表现出较强的竞争力，尤其是在成本敏感且对可靠性要求较高的应用中。
型号：RYE002N05TCL
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：50V
连续漏极电流ID：220A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流IDM：660A
栅源电压VGS：±20V
导通电阻RDS(on)：max 1.7mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on)：max 2.0mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压Vth：min 1.0V，typ 1.4V，max 2.2V
输入电容Ciss：typ 13000pF
输出电容Coss：typ 2800pF
反向传输电容Crss：typ 450pF
总栅极电荷Qg：typ 95nC @ VDS=40V, ID=110A
开启延迟时间td(on)：typ 15ns
关断延迟时间td(off)：typ 35ns
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
封装：TOLL (TO-263-8L)
RYE002N05TCL采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻，能够在大电流条件下显著降低导通损耗，提升系统能效。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为1.7mΩ，在同类50V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得器件在高负载工况下仍能保持较低的温升，延长使用寿命并提高系统可靠性。该器件的栅极阈值电压范围合理，典型值为1.4V，确保在低压控制信号下也能稳定开启，适用于现代低电压逻辑驱动电路。同时，其栅源电压支持±20V，具备一定的过压耐受能力，增强了实际应用中的鲁棒性。
在动态性能方面，RYE002N05TCL拥有较低的输入电容与反向传输电容，有效减少了开关过程中的电荷消耗和米勒效应影响，从而实现快速的开关响应。其典型的总栅极电荷Qg为95nC，在高频开关电源应用中可显著降低驱动损耗，提升整体转换效率。此外，该器件的输出电容较小，有助于减少关断期间的能量损耗，特别适用于高频率工作的同步整流和DC-DC降压变换器。得益于优化的芯片布局与封装技术，RYE002N05TCL还表现出优异的热传导性能，TOLL封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热路径高效导出热量，满足高功率密度设计需求。
该MOSFET的工作结温可达+175℃，具备出色的高温工作能力，可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保长期使用的稳定性。其内部结构设计也考虑了雪崩能量承受能力，具备一定的抗瞬态过压能力，提高了系统在异常工况下的安全性。综上所述，RYE002N05TCL凭借其低RDS(on)、优良的开关特性、强散热能力和高可靠性，成为中低压大电流功率应用中的理想选择。
RYE002N05TCL广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括通信电源、服务器电源模块、笔记本电脑适配器、电动工具电池包、电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源、工业电机驱动控制器以及太阳能微型逆变器等。由于其优异的导通和开关性能，该器件常被用作同步整流MOSFET，在Buck、Boost及半桥拓扑结构中实现高效的能量转换。在电池管理系统（BMS）中，它可用于充放电回路的主开关，提供低损耗的通路控制。此外，该器件也适用于大电流DC-DC降压模块，如POL（Point of Load）电源，满足数字IC、GPU、FPGA等高性能处理器的供电需求。其高电流承载能力和良好热性能使其在紧凑型高功率密度电源设计中具有明显优势。
Infineon BSC020N05LS G
ON Semiconductor FDMC86132
Vishay SiR626DP
