RXH100N03 时间：2025/12/25 14:14:09 阅读：22

RXH100N03是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率管理领域。该器件采用先进的沟槽栅极制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性等特点。其设计目标是满足现代电子设备对小型化、高能效和高可靠性的需求，特别适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业电源等场景。RXH100N03在封装上通常采用高性能的PowerFLAT或类似的小型表面贴装封装，有助于减小PCB占用面积并提升散热性能。该MOSFET在工作时能够承受较高的电流和电压冲击，同时保持较低的功耗，从而有效提高系统整体效率。此外，它还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层结构，能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

型号：RXH100N03
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：3800pF
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

RXH100N03的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的热管理能力，使其在大电流应用中表现出色。该MOSFET采用了瑞萨专有的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，显著降低了Rds(on)，从而减少了导通损耗，提升了系统效率。这一特性在高频率开关电源如同步整流DC-DC变换器中尤为重要，能够有效降低温升，延长器件寿命。
　　其高达100A的连续漏极电流承载能力，使RXH100N03适用于大功率负载切换和电机控制应用。同时，脉冲电流可达320A，表明其具备强大的瞬态响应能力，可在启动或突发负载条件下提供稳定输出。这种高电流处理能力结合仅1.3mΩ的典型Rds(on)值，在相同功率等级下相较于传统MOSFET可减少发热，降低对散热器的需求，有利于实现紧凑型电源设计。
　　器件的栅极电荷（Qg）为45nC，属于中等偏低水平，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有助于降低驱动损耗，并兼容常见的MOSFET驱动IC。输入电容为3800pF，配合快速的开关时间（开启延迟12ns，关断延迟28ns），确保了高频工作的可行性，适合用于数百kHz甚至接近1MHz的开关电源拓扑。
　　RXH100N03支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），展现出卓越的环境适应性，可在高温工业环境或低温户外设备中稳定运行。其封装采用PowerFLAT 5x6，具有优良的热传导性能和机械可靠性，底部带有裸露焊盘，便于通过PCB进行高效散热。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。

应用

RXH100N03广泛应用于需要高效能、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器电源、通信基站电源模块、笔记本电脑适配器中的同步整流电路，以及电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块。由于其低导通损耗和高电流密度，也常被用于电池供电设备如电动工具、无人机和便携式储能电源中的功率开关单元。
　　在电机驱动领域，RXH100N03可用于H桥或半桥拓扑结构中作为主开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能。其快速开关特性和高抗浪涌能力，使其在频繁启停和反向制动工况下仍能保持稳定性能。
　　此外，该器件还可用于UPS不间断电源、太阳能微逆变器、LED恒流驱动电源等高可靠性要求的应用场合。在这些系统中，RXH100N03不仅承担着能量传递的关键角色，还能通过降低传导损耗来提升整体能效等级，满足能源之星或IEC能效标准的要求。