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RW1A025APT2CR 发布时间 时间:2025/12/25 10:43:56 查看 阅读:13

RW1A025APT2CR是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的电子元器件,属于其功率管理产品线中的一部分。该器件是一款高精度、低功耗的电压检测器(Voltage Detector),主要用于监控系统电源电压并在电压低于或高于预设阈值时产生复位信号或告警输出。它广泛应用于需要稳定电源监控功能的嵌入式系统、微控制器单元(MCU)、便携式设备以及工业控制设备中。RW1A025APT2CR采用小型表面贴装封装(如SOT-25或类似尺寸),适合对空间有严格要求的设计场景。该芯片内部集成了精密基准电压源、比较器和迟滞电路,确保在温度变化和噪声干扰下仍能提供稳定的检测性能。其工作电压范围宽,典型应用于电池供电系统中,用于防止因电压过低导致的数据丢失或系统异常运行。此外,该器件具有低静态电流特性,有助于延长电池使用寿命,在待机模式下几乎不消耗额外电能。

参数

型号:RW1A025APT2CR
  制造商:ROHM Semiconductor
  产品类型:电压检测器 / 监控IC
  封装类型:SOT-25
  通道数:1
  检测电压:2.5V(固定)
  检测精度:±1.0%
  工作电压范围:1.0V ~ 6.0V
  输出类型:N沟道开漏输出(Open Drain)
  复位延迟时间:典型值140ms
  静态电流:典型值0.45μA
  工作温度范围:-40°C ~ +105°C
  存储温度范围:-55°C ~ +125°C
  引脚数量:5

特性

RW1A025APT2CR具备高精度电压监测能力,其核心功能是实时监控供电线路中的电压水平,并在电压下降至设定阈值以下时迅速触发复位信号,从而保护下游电路免受欠压影响。该芯片内置的电压参考源具有极高的稳定性,能够在整个工作温度范围内维持±1.0%的检测精度,确保系统在各种环境条件下都能可靠运行。其检测电压固定为2.5V,适用于多种标准逻辑电平系统的上电复位(Power-On Reset, POR)和掉电保护(Brown-Out Detection, BOD)。
  该器件采用N沟道开漏输出结构,允许用户通过外部上拉电阻连接到不同的逻辑电压域,实现与多种数字接口的兼容性。这种设计增强了其在多电压系统中的灵活性,例如在3.3V主控与1.8V传感器共存的系统中,可以将输出上拉至3.3V以匹配MCU输入电平。
  RW1A025APT2CR的另一个显著特点是超低静态电流消耗,典型值仅为0.45μA,使其非常适合应用于电池驱动的便携式设备,如智能仪表、可穿戴设备、无线传感器节点等。即使在长期待机状态下,也不会显著影响电池寿命。同时,其内部集成的延迟电路无需外接电容即可提供约140ms的复位脉冲宽度,简化了外围电路设计,减少了PCB占用面积和物料成本。
  该芯片支持宽输入电压范围(1.0V~6.0V),不仅可用于传统的5V或3.3V系统,也能适配低至1.8V甚至更低电压的现代低功耗处理器。其迟滞功能有效防止了在阈值附近因噪声引起的误触发,提升了系统的抗干扰能力。整体而言,RW1A025APT2CR是一款高性能、高集成度且易于使用的电压监控解决方案。

应用

RW1A025APT2CR主要应用于需要精确电压监控和系统复位功能的各种电子设备中。常见应用场景包括微控制器系统的上电复位(POR)和欠压锁定(UVLO)功能,确保MCU在电源建立完成前保持复位状态,避免出现程序跑飞或寄存器配置错误的情况。在便携式医疗设备如血糖仪、血压计中,该芯片用于监测电池电压,在电量不足时及时发出警告或自动关机,保障数据安全。在工业自动化控制系统中,它被用来监控PLC模块或远程I/O单元的供电状态,提高系统可靠性。此外,该器件也广泛用于智能家居设备、物联网终端节点、智能电表、安防监控设备等对功耗敏感且需长期稳定运行的产品中。由于其小封装和低功耗特性,特别适合高密度布局和电池供电的应用场景。

替代型号

BD33H25GUL-E2
  XC6102C25MR-G

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RW1A025APT2CR参数

  • 现有数量2,465现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)62 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2000 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)400mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-WEMT
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线