RV391K05T 时间：2025/12/28 19:47:36 阅读：10

RV391K05T 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及各类电源管理电路中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大 28mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）

特性

RV391K05T 具备一系列优良的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）有助于降低导通损耗，从而提高电源转换效率并减少热量产生。这在高电流应用中尤为重要。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 6.0A，漏源电压为 30V，适用于中低功率的电源转换系统。其栅源电压范围为 ±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，支持与多种控制 IC 配合使用。
　　在封装方面，RV391K05T 采用 SOP 封装形式，具有较好的热管理和空间利用率，适合高密度 PCB 设计。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业和车载环境。
　　该器件还具备较低的开关损耗，支持高频操作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统的功率密度和响应速度。

应用

RV391K05T 广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、负载开关控制、电机驱动电路、LED 照明驱动器、工业自动化设备以及车载电子系统。
　　由于其具备低导通电阻和较高的频率响应能力，RV391K05T 特别适合用于需要高效率和紧凑设计的便携式设备电源管理模块。此外，在电池供电设备中，该 MOSFET 可有效延长电池续航时间并提高系统稳定性。