时间：2025/8/30 19:34:05
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RV221K10T 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关等应用。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为 TSMT4 或类似封装），具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于提高能效并减少功率损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：6.5A（连续）
导通电阻 Rds(on)：最大 23mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSMT4（表面贴装）
RV221K10T 具备低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。其低 Vgs(th)（栅极开启电压）特性允许使用较低的栅极驱动电压，从而适用于多种控制电路。此外，该 MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性，能够在多种工作条件下保持稳定运行。
该器件还具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器中，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统整体集成度。其封装设计也支持良好的散热性能，适用于紧凑型高密度 PCB 布局。
ROHM 的 RV221K10T 还具备良好的抗静电能力（ESD）和短路耐受能力，使其在工业和消费类电子产品中广泛使用。
RV221K10T 常用于各类电源管理系统，如锂电池保护电路、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机驱动电路以及各种便携式电子设备。此外，它也可用于汽车电子系统中的低电压功率控制，如车灯控制、车载充电器等应用场景。由于其紧凑的封装和高性能参数，该 MOSFET 在高效率、小尺寸要求的应用中尤为受欢迎。
Si2302DS, AO3400A, BSS138K
