RV221K07T 时间：2025/12/28 19:59:18 阅读：12

RV221K07T 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率和高速开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等多种电子系统。RV221K07T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较小的封装中提供较高的电流承载能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：70mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSMT6（热增强型表面贴装）

特性

RV221K07T MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，其 Rds(on) 仅为 70mΩ，使其非常适合用于低电压高电流的应用场景。
　　此外，该器件采用了 ROHM 的先进沟槽式 MOSFET 技术，优化了芯片结构，从而在保持小型封装的同时实现了良好的热性能和电流能力。TSMT6 封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　RV221K07T 的栅极驱动电压范围为 ±12V，推荐工作电压为 4.5V 至 10V，适合与标准逻辑电平的驱动器配合使用。其最大连续漏极电流为 4.5A，漏源击穿电压为 20V，使其适用于中低功率的开关应用。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够承受一定的瞬态过压和过流情况，提高系统的可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

RV221K07T 适用于多种电源管理应用，包括同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED 驱动电路以及便携式设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，它也常用于需要高效能和小型化设计的场合，如智能手机、平板电脑、无线路由器和小型电源适配器等消费类电子产品中。此外，在电机驱动和继电器替代应用中，RV221K07T 也能提供可靠的开关性能。