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RURU80100 发布时间 时间:2025/12/29 14:16:39 查看 阅读:12

RURU80100是一款高压、高频率MOSFET功率晶体管,专为高性能电源转换和功率管理应用设计。它采用了先进的硅技术,提供出色的导通和开关性能,适用于需要高效率和可靠性的场合。

参数

类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  最大漏极电流:100A
  最大漏-源电压:800V
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
  最大功耗:200W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247

特性

RURU80100具有低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压应用,如工业电源、太阳能逆变器和电机控制。此外,该器件的封装设计有助于快速散热,从而提高长期可靠性。该MOSFET的高开关速度也使其适用于高频电源转换应用,减少了外部元件的尺寸和成本。
  该器件的栅极驱动要求较低,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其结构设计确保了在极端条件下仍能保持稳定的电气性能,同时具备较强的短路和过热保护能力。这些特性使RURU80100成为高性能电源系统设计的理想选择。

应用

RURU80100广泛应用于工业电源、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电机驱动系统以及高频DC-DC转换器。它也适用于需要高效能功率开关的消费电子和工业设备中,如高功率LED驱动器和电池充电系统。

替代型号

STF80N80, IXFH80N80Q, FQA80N80

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RURU80100参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品Ultra Fast Recovery Rectifiers
  • 配置Single
  • 反向电压1000 V
  • 正向电压下降1.9 V
  • 恢复时间200 ns
  • 正向连续电流80 A
  • 最大浪涌电流500 A
  • 反向电流 IR250 uA
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-218
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 最小工作温度- 65 C