时间：2025/12/29 14:13:41
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RURU50120 是一款由 Renesas Electronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频率的电源转换应用。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽式工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于服务器电源、通信电源、DC-DC 转换器以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：最大 5mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：双排散热封装（例如：LFPAK56）
RURU50120 的主要特性包括低导通电阻、优异的热性能和高可靠性。其低 Rds(on) 特性有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件采用了高密度沟槽式结构，提供了良好的电流承载能力和开关性能。其散热封装设计可以有效降低热阻，提高器件在高功率应用中的稳定性。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护，提高系统可靠性。同时，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频工作环境。此外，RURU50120 的栅极驱动设计优化，减少了开关过程中的电磁干扰（EMI），有助于提高系统的电磁兼容性。
RURU50120 主要用于高性能电源系统，如服务器电源、数据中心电源、电信电源、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等。其优异的导通和开关性能使其特别适用于高效率、高频电源转换应用，有助于提高整体系统效率并减小电源模块的尺寸。
RURU50120 的替代型号包括 SiS120N120、FDMS7680、IRLR8829、IPB012N12N5 和 SQJQ120EP
