时间：2025/12/29 14:19:54
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RURU50100是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET器件，专为高效能电源管理和功率转换应用而设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于各种高效率和高功率密度的电源系统。RURU50100采用了高可靠性封装，具有良好的热管理和散热性能，适合在高负载和高温环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值10mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：双排DFN或类似高散热性能封装
RURU50100的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力以及卓越的热稳定性。这款MOSFET的低Rds(on)特性显著减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其高电流容量（50A）使得它非常适合用于高功率输出的应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。此外，RURU50100的先进封装技术有效提高了散热性能，确保了器件在高负载条件下的稳定运行。
该器件还具备快速的开关速度，减少了开关损耗，并提高了系统的响应能力。这种特性在高频开关应用中尤为重要，例如在服务器电源、通信设备和工业自动化系统中。此外，RURU50100的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种驱动电路设计，并增强了器件的抗过压能力。
RURU50100广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中，例如计算机服务器电源、电信设备电源模块、工业电源、电机控制电路以及汽车电子系统。在DC-DC转换器中，该器件的低Rds(on)和快速开关特性有助于提高转换效率并减少热量产生。此外，在电池管理系统和高功率负载开关中，RURU50100也表现出色，能够有效控制能量传输并确保系统的稳定运行。
SiMOS SSM3K56A, Infineon OptiMOS 5 BSC050N10NS5
