时间：2025/12/29 14:29:02
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RURU15080 是一款由 Renesas Electronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高效率的电源管理和开关应用。该器件采用了先进的沟槽工艺技术，提供了优异的导通性能和开关特性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等多种高要求的应用场景。RURU15080 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，能够在高频率下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：80 A（在 25°C）
最大漏源电压 (VDS)：150 V
导通电阻 (RDS(on))：约 4.5 mΩ（典型值）
栅极电荷 (Qg)：约 90 nC（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
最大功耗：约 200 W
封装类型：表面贴装（SMD）或通孔安装（Through-Hole）
栅源电压范围：±20 V
RURU15080 是一款高性能功率 MOSFET，其设计采用了先进的沟槽式硅工艺技术，从而实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和高效的电流传输能力。该器件的导通电阻仅为约 4.5 mΩ，使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统的能效。此外，RURU15080 的最大漏极电流可达 80 A，在 150 V 的漏源电压下仍能稳定工作，适用于各种高功率密度的电源系统。
RURU15080 具有出色的开关特性，栅极电荷（Qg）约为 90 nC，这使得它能够在高频开关应用中保持较低的开关损耗，从而提高系统的响应速度和稳定性。其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持较低的温度上升。此外，该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，适应性强，可在各种恶劣的环境条件下稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在异常工作条件下仍能维持器件的安全运行。RURU15080 的这些特性使其成为工业电源、服务器电源、电动车辆（EV）充电系统、太阳能逆变器以及高功率 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
RURU15080 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。其主要应用场景包括工业级 DC-DC 转换器、服务器和通信设备的电源模块、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关。此外，该器件也适用于电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器以及其他高功率电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，RURU15080 可用于提升系统能效、降低发热并提高整体可靠性。在电源管理和功率开关设计中，RURU15080 能够提供出色的性能表现，是工程师在设计高功率密度电源系统时的重要选择。
SiHP15080, IRFP4468, IPW60R045C6, FDPF4410A
