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RURU150120 发布时间 时间:2025/12/29 14:18:07 查看 阅读:8

RURU150120 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的高性能功率MOSFET器件,主要用于高效率功率转换和管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热稳定性,适用于诸如DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器以及电池充电设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):约28mΩ(典型值,具体取决于Vgs)
  功耗(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

RURU150120 具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。这对于高频开关应用尤为重要,因为它有助于减少发热并提高能量转换效率。
  其次,该器件的高电流能力(最大20A连续漏极电流)使其适用于高负载应用,例如电机驱动和高功率DC-DC转换器。
  此外,RURU150120采用了优化的封装设计,具备良好的热管理能力,能够有效散热,延长器件寿命并提升可靠性。
  该器件还具备高栅极绝缘强度(最大±20V栅源电压),在复杂的工作环境中提供更强的抗干扰能力,防止因电压尖峰导致的栅极击穿。
  最后,RURU150120的宽工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于极端环境下的应用,例如工业控制、汽车电子和户外通信设备。

应用

RURU150120 主要应用于需要高效功率管理和高电流承载能力的场合。
  在电源管理领域,该器件广泛用于DC-DC转换器中,特别是在同步整流拓扑结构中,能够显著提高转换效率。此外,它也适用于AC-DC电源供应器的次级侧整流和功率因数校正(PFC)电路。
  在汽车电子领域,RURU150120可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和启停系统中的功率控制模块。
  工业控制方面,该MOSFET适用于电机驱动器、伺服控制器和UPS(不间断电源)系统,提供稳定可靠的功率切换能力。
  此外,RURU150120也适用于电池管理系统(BMS),特别是在高电压和大容量电池组中,用于实现高效的充放电控制。

替代型号

SiHF150N120Y、IPB120N15N3 G、TK15A60D、RURU150120Z

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