时间:2025/12/29 14:00:03
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RURP8120 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率转换的电子设备中。这款晶体管以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性著称,适合在各种电源管理应用中使用,如 DC-DC 转换器、电机驱动电路以及负载开关等。其封装形式为 TO-252(DPAK),便于安装和散热。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds):120V
栅源电压 (Vgs):±20V
连续漏极电流 (Id):80A
导通电阻 (Rds(on)):12mΩ(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
RURP8120 的核心特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为 12mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了功率转换效率。此外,它具备较高的电流承载能力,额定连续漏极电流为 80A,能够在高功率负载下稳定运行。
该 MOSFET 的漏源耐压为 120V,适用于中高功率应用,能够在较高的电压环境下安全工作。其栅源电压范围为 ±20V,具有较强的栅极驱动适应性,可与多种驱动电路兼容。
RURP8120 还具备优异的热稳定性,采用了 TO-252(DPAK)封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够有效降低器件在高功率工作时的温度上升,提高系统的可靠性和寿命。
由于其高性能参数和紧凑的封装设计,RURP8120 在空间受限和高效率要求的应用中表现出色,例如开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的电机控制模块。
RURP8120 主要用于需要高效功率转换和控制的电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化和控制系统中的高边开关。
在开关电源中,RURP8120 可用于同步整流电路,以提高转换效率并减少发热。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关器件,实现高效的电压调节。此外,由于其高电流能力和低导通电阻,RURP8120 也常用于高功率电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停和方向。
在电池管理系统中,RURP8120 可用于电池充放电控制,确保电池组的安全运行。同时,它也适用于各种工业自动化设备中的高边负载开关,实现对高电压或高电流负载的快速控制。
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"RURP8120Z",
"RURP8120F",
"RURP8120SP",
"RURP8120T101"
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