类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.042Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单路

RURP8100-ND MOSFET具备多项优异的电气和热性能，使其在多种高功率应用中表现出色。
　　首先，其最大漏源电压为100V，最大漏极电流可达20A，能够支持高功率负载的开关控制。这使得该器件在电源转换器、电机驱动和电池管理系统中具有广泛的应用潜力。
　　其次，该MOSFET的导通电阻非常低，典型值为0.042Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。同时，低导通电阻还减少了发热，提高了器件的热稳定性。
　　此外，RURP8100-ND的栅极阈值电压范围为2V至4V，这意味着它可以在较低的控制电压下工作，兼容多种逻辑电平驱动电路，如微控制器和数字信号处理器（DSP）等。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。TO-220封装也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。
　　最后，RURP8100-ND的工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的热稳定性和环境适应能力，适用于工业级和汽车级应用。

RURP8100-ND MOSFET因其高性能和可靠性，广泛应用于多个领域。
　　在电源管理系统中，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制领域，RURP8100-ND可用于驱动小型电机、风扇和泵等负载，适用于电动工具、机器人和自动化控制系统。
　　此外，该MOSFET还常见于电池充电器和管理系统中，特别是在电动车、储能系统和便携式设备中，确保电池的高效充放电管理。
　　工业控制设备如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代开关和智能传感器中也常使用RURP8100-ND，以实现快速、高效的开关控制。
　　消费类电子产品方面，该器件可用于LED照明驱动、电源适配器和智能家电中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

IRFZ44N, FDPF8N60, STP16NF10, FQP13N10L