RURD860 时间：2025/12/29 15:11:53 阅读：22

RURD860 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高效能功率MOSFET器件，主要应用于高功率密度和高效率的电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.15Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

RURD860 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在设计上优化了导通和开关损耗之间的平衡，从而适用于高频开关应用。
　　此外，RURD860 采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，能够在高功率条件下维持较低的结温，提升器件的可靠性与寿命。其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压电源转换系统，如AC-DC电源、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备。

应用

RURD860 主要用于各种高功率和高效率的电力电子系统中，包括但不限于以下应用领域：
　　1. AC-DC电源适配器和服务器电源：由于其高效率和良好的热管理能力，RURD860适用于高功率密度的电源设计，能够有效提升能效并降低散热需求。
　　2. DC-DC转换器：在需要高效电压转换的场合，如通信电源、车载电源系统和工业控制设备中，RURD860 可作为主开关器件使用。
　　3. 电机驱动和变频器：RURD860 的高耐压和大电流能力使其适用于电机控制和变频驱动系统，尤其是在需要高频开关和高效率的应用中。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统：该器件的高可靠性和抗瞬态能力使其适用于太阳能发电系统中的功率转换模块，确保系统在恶劣环境下稳定运行。
　　5. 电池管理系统和充电设备：在需要高效充电和能量管理的场合，RURD860 也可用于功率开关控制。