时间：2025/12/29 14:00:18
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RURD840S是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
功耗（Pd）：42W
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.028Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
RURD840S具备多项优异性能，首先是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗，提高系统效率。其40V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用，如同步整流、DC-DC转换器和电池管理系统。该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在空间受限的设计中使用。
此外，RURD840S具有高电流承载能力，可在高负载条件下稳定运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和效率。器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高能脉冲环境下的可靠性。
该MOSFET的工作温度范围宽广，从-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了其在各种驱动条件下的稳定性。
RURD840S广泛应用于各类电力电子系统中，例如：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子系统。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDS4410, RURG840S
