时间：2025/4/29 17:52:39
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RURD660S9A-SB82111P 是一款肖特基二极管，属于罗姆半导体（ROHM）推出的高效低功耗器件系列。该型号主要针对高频率开关和快速恢复应用设计，具有较低的正向电压降和优异的反向漏电流特性。它适用于各种电源管理电路、DC-DC转换器、续流保护以及通信设备中的功率整流场景。
此肖特基二极管通过优化芯片结构和封装工艺，在高频工作条件下能够提供卓越的效率表现，并且其紧凑型封装适合空间受限的应用环境。
最大正向电流：4A
峰值反向电压：60V
正向电压：0.45V（典型值，If=2A时）
反向漏电流：20μA（典型值，Vr=60V，Tj=25℃时）
结电容：35pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
热阻（结到壳）：25℃/W
封装形式：SMB
1. 超低正向电压降，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。
2. 快速恢复时间，支持高频开关应用。
3. 高温稳定性，能够在极端温度条件下保持出色的性能。
4. 小型化封装设计，节省PCB布局空间。
5. 反向漏电流小，确保在高温环境下仍具备良好的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场准入要求。
RURD660S9A-SB82111P 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的整流和续流路径。
2. DC-DC转换器的同步整流及输出整流。
3. 便携式电子设备的电池充电保护电路。
4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
5. 通信基站的功率管理模块。
6. LED驱动电路中的电流调节与保护。
7. 工业控制设备中的信号隔离与功率传输。
RURD600M9L-SB82111N
RURD600S9L-SB82111P
