RUR30100 时间：2025/12/29 13:42:51 阅读：10

RUR30100 是由Renesas（瑞萨电子）推出的一款高耐压、大电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统和工业自动化设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为9.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
　　最大功耗（PD）：130W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

RUR30100 MOSFET具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作状态下损耗极低，从而提高了整体系统的效率。其耐压能力高达100V，适用于中高压电源转换系统。
　　该器件采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。此外，RUR30100具有良好的热稳定性，其封装设计有助于快速散热，适用于高功率密度应用场景。
　　其栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间工作，适合多种驱动电路设计。器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的鲁棒性。
　　封装方面，RUR30100通常采用TO-220或TO-263等标准功率封装形式，便于散热和安装，适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

RUR30100广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于电信设备、服务器电源和UPS系统。
　　2. **电机控制**：用于直流电机驱动、步进电机控制以及电动车电机控制器等场合。
　　3. **工业自动化设备**：作为功率开关用于控制继电器、电磁阀和执行机构。
　　4. **新能源系统**：如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中。
　　5. **汽车电子**：用于车载电源系统、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等应用中。
　　其高可靠性和高效率特性使其成为工业与汽车应用中的理想选择。