时间：2025/6/3 14:28:45
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RUR020N02TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 UFQFPN 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合用于各种高效能功率转换应用。其耐压为 20V，适用于低压驱动场景，如负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池保护电路等。这款 MOSFET 以紧凑的设计和卓越的电气特性而著称，能够显著降低功耗并提升系统效率。
该器件通过优化的芯片设计实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少传导损耗，同时具备快速开关能力以降低开关损耗。RUR020N02TL 的典型应用场景包括消费电子设备、通信设备以及工业自动化控制等领域。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：1750pF（典型值）
总功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：UFQFPN
RUR020N02TL 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于提高系统效率并减少发热。
2. 高电流承载能力，可支持高达 16A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，使得开关损耗降至最低，适用于高频开关应用。
4. 优秀的热稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠运行。
5. 紧凑的 UFQFPN 封装，节省 PCB 空间并便于布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
RUR020N02TL 的典型应用领域包括：
1. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
2. 负载开关，用于动态管理电源分配。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和 LED 驱动器。
6. 各类便携式电子产品中的功率管理单元。
RT9202N02TLD, RUR020N02SLL
