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RUR020N02TL 发布时间 时间:2025/6/3 14:28:45 查看 阅读:4

RUR020N02TL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 UFQFPN 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于各种高效能功率转换应用。其耐压为 20V,适用于低压驱动场景,如负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池保护电路等。这款 MOSFET 以紧凑的设计和卓越的电气特性而著称,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  该器件通过优化的芯片设计实现了极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少传导损耗,同时具备快速开关能力以降低开关损耗。RUR020N02TL 的典型应用场景包括消费电子设备、通信设备以及工业自动化控制等领域。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  输入电容:1750pF(典型值)
  总功耗:2.4W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:UFQFPN

特性

RUR020N02TL 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于提高系统效率并减少发热。
  2. 高电流承载能力,可支持高达 16A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,使得开关损耗降至最低,适用于高频开关应用。
  4. 优秀的热稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠运行。
  5. 紧凑的 UFQFPN 封装,节省 PCB 空间并便于布局。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

RUR020N02TL 的典型应用领域包括:
  1. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
  2. 负载开关,用于动态管理电源分配。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
  5. 开关模式电源 (SMPS) 和 LED 驱动器。
  6. 各类便携式电子产品中的功率管理单元。

替代型号

RT9202N02TLD, RUR020N02SLL

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RUR020N02TL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TSMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RUR020N02TL-NDRUR020N02TLTR