时间：2025/12/25 9:09:43
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RUEF500-2 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用紧凑型封装设计，适用于需要低导通电阻和高电流能力的电源管理系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：20V
最大栅源电压 (Vgs)：±12V
最大连续漏极电流 (Id)：10A
导通电阻 (Rds(on))：50mΩ（典型值）
功耗 (Pd)：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：HVSOF
RUEF500-2 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的高电流能力允许其在负载变化较大的应用中稳定运行，而不会因电流过载而损坏。
此外，RUEF500-2 采用了 ROHM 的先进沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性。其封装设计具有良好的散热性能，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护。其栅极驱动特性优化，适用于高速开关应用，降低了开关损耗并提高了响应速度。
ROHM RUEF500-2 的设计使其在各种电源管理系统中表现出色，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。其紧凑型封装也使其非常适合空间受限的应用，如便携式电子设备和汽车电子系统。
RUEF500-2 主要用于以下应用场景：DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。
Si2302DS、IRLML2402、FDMS8878、RUEF5001、RUEF5002
