型号：RUE002N05 TL
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：600mA
　　导通电阻 RDS(on)：200mΩ（最大值）@ VGS=10V
　　导通电阻 RDS(on)：250mΩ（最大值）@ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：约12pF @ VDS=25V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：约4pF @ VDS=25V, VGS=0V
　　反向传输电容（Crss）：约0.3pF @ VDS=25V, VGS=0V
　　栅极电荷（Qg）：约2nC @ VDS=25V, ID=150mA
　　功耗（Ptot）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-723（SC-88A）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RUE002N05 TL采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构通过优化沟道布局显著降低了导通电阻，从而在小电流应用中实现更低的功率损耗。其核心优势之一是极低的RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至200mΩ，即使在较低驱动电压如4.5V下也能维持在250mΩ以内，这使得它非常适合用于电池供电设备中，能够在有限的驱动条件下依然保持高效的导通状态。该器件的输入、输出及反向传输电容均非常小，Ciss约为12pF，Coss约为4pF，Crss约为0.3pF，这些低电容特性有助于减少高频开关过程中的充放电损耗，提升开关速度并抑制电磁干扰（EMI），特别适用于高频DC-DC变换器和高速开关电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，其最大结温可达+150°C，允许在较宽的工作温度范围内稳定运行。同时，由于其封装尺寸极小（SOT-723），仅占用极少的PCB面积，非常适合高密度集成设计，例如智能手机、可穿戴设备、物联网节点等对空间极为敏感的产品。尽管其绝对最大连续漏极电流为150mA，但因其出色的散热设计和材料选择，在实际应用中仍能承受短时间的较高负载电流。此外，该器件具有较高的栅源电压耐受能力（±20V），增强了对异常电压瞬变的抵抗能力，提升了系统安全性。
　　RUE002N05 TL还具备优良的开关特性，其栅极电荷Qg仅为2nC左右，意味着驱动电路所需提供的能量非常少，有利于降低控制器的驱动负担，尤其适合与低压逻辑IC或微控制器直接接口使用。它的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在低电压控制系统中也能可靠开启。整个器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性。此外，产品符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造流程。

RUE002N05 TL广泛应用于各类低功耗、高效率的电源管理系统中。首先，它常被用作同步整流器或开关元件在升压（Boost）、降压（Buck）以及升降压（Buck-Boost）型DC-DC转换器中，尤其是在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、智能手表等内部的电源轨切换电路中发挥关键作用。由于其低导通电阻和小封装尺寸，能够在有限的空间内提供高效的能量转换，延长电池续航时间。
　　其次，该器件适用于各类负载开关应用，用于控制不同功能模块的供电通断，例如在多电源域系统中实现电源隔离、上电顺序控制或节能待机模式管理。其快速开关能力和低静态功耗使其成为理想的电源门控器件。此外，在电机驱动电路中，特别是微型直流电机或振动马达的驱动回路中，RUE002N05 TL可用于实现PWM调速控制，凭借其快速响应特性和低导通压降，有效提升驱动效率并减少发热。
　　在信号切换和模拟开关场景中，该MOSFET也可作为低失真、低导通阻抗的开关元件使用，适用于音频信号路径切换、传感器供电控制等精密模拟电路。同时，由于其良好的ESD防护能力和环境适应性，也被广泛用于通信接口保护电路、USB电源管理单元以及电池充电管理模块中。此外，在工业自动化、智能家居设备和医疗电子设备中的低功耗控制单元中，RUE002N05 TL同样表现出色，满足现代电子产品对小型化、高效化和可靠性的综合需求。

RN2002N05FA