RU75N08S 时间：2025/6/17 0:12:05 阅读：5

RU75N08S 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管，专为高频和高效能应用设计。该器件采用了先进的场效应晶体管 (FET) 架构，能够在高开关频率下提供出色的效率和低导通电阻性能。RU75N08S 的额定电压为 750V，能够满足高压电源转换应用的需求，同时其低导通电阻特性使得损耗得以显著降低。
　　由于其卓越的热性能和紧凑的封装形式，RU75N08S 被广泛应用于各种工业和消费类电子领域，例如 AC-DC 适配器、无线充电设备、LED 驱动器以及光伏逆变器等。

参数

型号：RU75N08S
　　类型：增强型 GaN 功率晶体管
　　最大漏源电压(Vds)：750V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：150mΩ
　　功耗(Ptot)：140W
　　工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-252

特性

RU75N08S 具备以下关键特性：
　　- 增强型氮化镓技术：相比传统硅基 MOSFET 提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
　　- 高耐压能力：支持高达 750V 的漏源电压，适用于高压环境。
　　- 快速开关性能：得益于氮化镓材料的特性，RU75N08S 在高频操作时表现出优异的效率。
　　- 紧凑封装：采用 TO-252 封装形式，有助于减少 PCB 占用空间并提升散热性能。
　　- 低静态功耗：在关断状态下，漏电流极小，从而减少待机能耗。
　　- 宽广的工作温度范围：适应极端环境条件，确保长期可靠性。

应用

RU75N08S 可应用于多种场景：
　　- 开关电源(SMPS)：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效率和小型化的解决方案。
　　- 快速充电器：支持更高功率密度的便携式快速充电设备。
　　- LED 驱动器：用于高效照明系统，特别是大功率 LED 应用。
　　- 无线充电：提升无线充电系统的传输效率。
　　- 光伏逆变器：优化能量转换过程，提高太阳能利用率。
　　- 电机驱动：实现更精确的控制和更高的能量转换效率。