RU75N08R 时间：2025/7/16 17:58:01 阅读：5

RU75N08R是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能功率MOSFET器件，主要用于高效率、高密度的电源转换应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻和高电流处理能力，适用于如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.4mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功耗（Pd）：250W

特性

RU75N08R采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了整体能效。
　　该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，确保长时间工作的稳定性。
　　RU75N08R具备较高的电流承载能力，支持在高功率密度设计中的使用，适用于紧凑型电源模块的设计。
　　其快速开关特性可降低开关损耗，进一步提升系统的整体效率。
　　此外，RU75N08R采用TO-263表面贴装封装，便于自动化生产和高效散热管理，适合现代高频电源系统的需求。

应用

该MOSFET广泛应用于服务器电源、电信设备电源、工业控制电源、电动工具、电池管理系统（BMS）、DC-AC逆变器以及各类高功率DC-DC转换器中。
　　由于其卓越的性能表现，RU75N08R也常用于汽车电子系统，例如车载充电器和启停系统中的功率控制部分。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，RU75N08R也被用作关键的功率开关元件。