时间：2025/9/3 19:31:46
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RU4M 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款晶体管具有高耐压和低导通电阻的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。RU4M 的封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装在 PCB 上，并具有良好的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：4A
最大漏极-源极电压：60V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.78Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：13nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
RU4M 功率 MOSFET 具有出色的电气性能和热管理能力，适用于多种功率电子应用。
首先，RU4M 提供了较低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 0.78Ω，使得该器件能够在高负载条件下保持较低的温度上升。
其次，RU4M 的最大漏极-源极电压为 60V，使其适用于中等功率的 DC-DC 转换器和电源管理系统。此外，该器件的最大漏极电流为 4A，足以应对大多数中功率开关应用。
该 MOSFET 的栅极电荷仅为 13nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提高整体系统效率。同时，其 ±20V 的栅极-源极电压容限增强了器件在高噪声环境中的可靠性。
RU4M 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和焊接。该封装还支持表面贴装工艺，提高了制造效率和产品一致性。
最后，RU4M 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在各种环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
RU4M 主要用于以下类型的电子系统中：
1. **开关电源**：RU4M 可用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器的主开关，提供高效的功率转换性能。
2. **负载开关**：在电源管理系统中，RU4M 可用作负载开关，实现对不同负载的高效控制。
3. **马达驱动器**：该器件适合用于小型马达控制电路，如风扇、泵或工业自动化设备中的马达驱动。
4. **电池管理系统**：在电池充放电控制电路中，RU4M 可以用于控制电流流动，提高电池使用效率。
5. **LED 照明驱动**：在 LED 照明系统中，RU4M 可用于调节电流或作为开关元件，实现高效率的照明控制。
6. **消费电子产品**：由于其封装紧凑和性能稳定，RU4M 也广泛应用于各种消费类电子产品中，如笔记本电脑、智能家电和电源适配器等。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002K
