RU4B是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件设计用于在高电流和高电压条件下工作,具有低导通电阻和高可靠性,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型:N沟道 MOSFET
漏极电流(ID):4.9A(最大)
漏极-源极电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):34mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):100W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
RU4B具有低导通电阻(RDS(on))特性,这使其在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统效率。该器件还具备高电流承载能力,适用于需要较高功率输出的应用场景。此外,RU4B采用了Renesas的先进MOSFET制造技术,确保了其在高温和高压环境下的稳定运行。该MOSFET的封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的热管理和焊接可靠性,适用于表面贴装工艺。其栅极驱动电压范围宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,便于在多种设计中使用。
RU4B在设计上优化了开关性能,降低了开关损耗,提高了整体系统的能效。同时,该器件具有较强的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态电压或过载条件下保持稳定工作,提高系统的可靠性和寿命。此外,RU4B具备良好的热稳定性,能够在高温度环境下持续运行,适用于工业控制、汽车电子和消费类电源设备中。
RU4B广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、负载开关和工业自动化控制设备。由于其高效率和高可靠性的特点,该MOSFET也常用于汽车电子系统中的电源管理模块,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和LED照明驱动电路。此外,RU4B还可用于便携式设备中的功率管理单元,如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器等。其紧凑的封装设计也使其适合空间受限的应用场景。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP3632, FDS4410A