RU4B 时间：2025/7/22 9:58:25 阅读：12

RU4B是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件设计用于在高电流和高电压条件下工作，具有低导通电阻和高可靠性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：4.9A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

RU4B具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件还具备高电流承载能力，适用于需要较高功率输出的应用场景。此外，RU4B采用了Renesas的先进MOSFET制造技术，确保了其在高温和高压环境下的稳定运行。该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于在多种设计中使用。
　　RU4B在设计上优化了开关性能，降低了开关损耗，提高了整体系统的能效。同时，该器件具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态电压或过载条件下保持稳定工作，提高系统的可靠性和寿命。此外，RU4B具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下持续运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电源设备中。

应用

RU4B广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关和工业自动化控制设备。由于其高效率和高可靠性的特点，该MOSFET也常用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动电路。此外，RU4B还可用于便携式设备中的功率管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器等。其紧凑的封装设计也使其适合空间受限的应用场景。