类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-4A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = -4.5V；60mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

RU40121R 的最大特点在于其低导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其 P 沟道结构使其在高端开关应用中非常适用，尤其是在需要简化电路设计的场合。此外，该 MOSFET 在 -4.5V 和 -2.5V 的栅极电压下均可工作，提供了灵活的驱动条件，适应多种控制电路的需求。
　　该器件采用了 ROHM 的先进沟槽式工艺，提升了导通性能和热稳定性。其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 设计中使用。RU40121R 还具备良好的热保护性能，能够在高温环境下稳定运行，提高了器件的可靠性和寿命。
　　此外，RU40121R 在开关速度方面表现出色，具有较短的上升和下降时间，适用于高频开关操作。其较低的栅极电荷（Qg）也进一步减少了开关损耗，使其适用于快速响应的电源管理系统。

RU40121R 主要用于需要高效、低电压开关控制的场合。典型应用包括便携式电子产品中的电源管理模块、电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动电路。在移动设备中，它常被用于控制电池供电路径、电源切换以及防止反向电流流动。
　　此外，该 MOSFET 也可用于各种嵌入式系统中的逻辑控制电路，例如在微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）的外围电路中作为开关元件使用。由于其封装小巧且性能稳定，RU40121R 也非常适合用于消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统中的低功耗设计。

Si2301DS, FDN340P, BSS84